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[发明专利]半导体器件-CN200780020275.X无效
发明人：水上俊彦 -专利权人：水上俊彦
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种可编程逻辑半导体器件或运算处理用半导体器件，利用封装部件(102)密封半导体芯片(101)和自上述半导体芯片(101)向周边引出的多个外部连接端子，其中该半导体器件包括用于与安装该半导体器件的印刷基板(105)等电连接的第1外部连接端子(108)；以及用于电连接上述半导体器件和第2半导体器件(104)的第2外部连接端子(111)。通过使用第2外部连接端子(111)与第2半导体器件(104)连接，即使在该半导体器件的封装密封后或在母板等布线基板上进行安装后，也能容易地实现多芯片结构。据此，提供一种使用通用的半导体器件就能容易地实现MCP结构的半导体器件以及即使在MCP封装密封后也能自由安装所希望的半导体器件的技术。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610952076.3有效
发明人：金森宏治;姜信焕;朴泳雨;朴正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：半导体器件被提供。半导体器件包括多个栅极电极。半导体器件包括相邻于多个栅极电极的沟道结构。半导体器件包括在沟道结构和多个栅极电极之间的多个电荷存储段。还提供形成半导体器件的方法。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010494337.8在审
发明人：李相勋;克里希那·布瓦卡;姜明吉;崔景敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括鳍结构，其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案。半导体器件包括半导体盖层，其位于鳍结构的上表面上，并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体器件包括栅电极，其位于半导体盖层上，并在第二方向上延伸。半导体器件包括位于半导体盖层与栅电极之间的栅极绝缘膜。另外，半导体器件包括连接到鳍结构的源/漏区。多个第一半导体图案包括锗(Ge)含量在25％至35％的范围内的硅锗(SiGe)，并且多个第二半导体图案包括硅(Si)。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010662287.X在审
发明人：金俊德;叶子祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物半导体器件设置在衬底中。所述部件设置成邻近金属氧化物半导体器件。所述部件以第一深度延伸至衬底中，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201310656149.0有效
发明人：冈田诚;仮屋崎修一;白井航;铃原将文;瀬罗直子 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。一种其中很可能发生翘曲的半导体器件。在半导体器件中，两个半导体芯片被安装在衬底的对角线之上，并且半导体芯片中的一个位于衬底的两条对角线的交叉点之上。该半导体器件给出以下问题的解决方案。为了实现具有安装在衬底上的多个半导体芯片的半导体器件，通常衬底必须具有较大的面积。如果在不增加衬底的厚度的情况下增加衬底面积，则很可能发生半导体器件的翘曲或变形。难以或不可能将翘曲或变形的半导体器件安装在布线衬底之上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201210021644.X无效
发明人：朴辰哲 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、半导体芯片、半导体组件、半导体单元、半导体系统以及制造半导体器件的方法。当形成埋入式位线或增大绝缘层的厚度时，通过在一侧触点的相反侧形成气隙，该半导体器件能够减小相邻的位线之间的耦合电容，从而改善半导体器件的特性。该半导体器件包括：多个线图案，其包括一侧触点；位线，其埋入在半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间；位线接面区域，其形成在各个线图案中该位线的一侧；以及气隙，其形成在该位线的另一侧和各个线图案之间。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201822253061.5有效
发明人：吴兵;王加坤 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：依据本实用新型的实施例揭露了一种半导体器件，包括半导体基体，覆盖半导体基体的上表面的第一金属层，以作为半导体器件的第一电极；覆盖半导体基体的下表面的第二金属层，以作为半导体器件的第二电极；以及位于所述半导体基体中的耗尽结构；所述耗尽结构不作为半导体器件的电极。半导体器件增加半导体基体的掺杂浓度以减小第一金属层和第二金属层之间正向导通时的压降；以及保证所述第二金属层和所述第一金属层间之间的反向耐压要求。
半导体器件半导体基体第二金属层第一金属层耗尽本实用新型第二电极第一电极反向耐压正向导通电极上表面下表面覆盖减小压降掺杂保证

[实用新型]半导体器件-CN201320426298.3有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：源区，被布置于半导体衬底；漏区，被布置于半导体衬底；栅区，被布置到半导体衬底上，并位于源区和漏区之间。半导体器件还包括：栅氧区，被布置到半导体衬底上，与栅区接触；以及阱区，被植入到半导体衬底上并位于栅区和栅氧区下面。栅氧区具有与阱区接触的下外沿部分。该半导体器件可以是低阈值电压金属氧化物半导体。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811228445.X有效
发明人： R.巴布尔斯克;T.巴斯勒;P.C.布兰特;M.科托罗格亚;J.G.拉文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提出一种半导体器件。半导体器件包括：半导体区域，半导体区域呈现第一导电类型的电荷载流子；晶体管单元，被包含在半导体区域中；半导体沟道区域，被包含在晶体管单元中，半导体沟道区域呈现与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂浓度的电荷载流子，其中半导体沟道区域和半导体区域之间的过渡区形成第一pn结。半导体器件进一步包括被包含在半导体区域中并且不同于半导体沟道区域的半导体辅助区域，半导体辅助区域呈现第二导电类型的第二掺杂浓度的电荷载流子，第二掺杂浓度与第一掺杂浓度相比更高至少30%，其中半导体辅助区域和半导体区域之间的过渡区形成第二
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200580034072.7有效
发明人：皮特·费洛斯;阿尔弗雷德·格拉赫;皮特·乌尔巴赫;沃尔夫冈·法伊勒;曲宁;克劳斯·埃耶斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有这样的电阻特性，即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到，其中一层这样地构造，即例如在n掺杂的区域中有多个p掺杂的区域，它们在一个侧面上借助金属化层被短路。该半导体器件可以例如被用于减小电流峰值，其中该器件随后被集成到导体中。在冷的状态中，该半导体器件具有高的电阻，该电阻在半导体器件由于流过的电流被加热之后显著地变小。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201922170168.8有效
发明人：李迪 -专利权人：唐世沅
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个半导体鳍片；多个栅叠层，多个栅叠层与多个半导体鳍片相交，分别包括栅极导体和栅极介质；栅极侧墙，位于多个栅叠层的栅极导体的相对侧面上；源/漏区，位于多个半导体鳍片中并且与多个栅叠层相邻；以及隔离结构，沿第一方向断开个至少一个半导体鳍片，以及沿第二方向断开多个相邻栅极导体，其中，隔离结构包括在多个相邻栅极导体中形成的第一开口，以及在至少一个半导体鳍片中形成的第二开口，第二开口位于第一开口下方该半导体器件经由多个相邻栅极导体中的开口断开半导体鳍片形成隔离结构，可以提高半导体器件的集成度和器件性能。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202221641759.4有效
发明人：陈家忠;周文昇;彭永州;刘雅芸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置在通道结构的第二侧上的第二外延结构，第一侧和第二侧在第一横向方向上彼此相对。第一外延结构通过第一半导体阱中的第二半导体阱与第一半导体阱电耦合，且第二外延结构通过介电层与第一半导体阱电隔离。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201810587258.4有效
发明人：赵文祺;金贤煜;辛宗灿;黄莉铃;梁在锡;郑臻愚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320575197.2有效
发明人：菊池卓;菊池隆文 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，提高将平面尺寸不同的多个半导体芯片层叠的半导体器件的各半导体芯片的设计自由度。该半导体器件，包括：布线基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；第1半导体芯片；第2半导体芯片；第3半导体芯片；以及多个外部端子，其形成于所述布线基板的所述第2面，所述第3半导体芯片的平面尺寸大于所述第1半导体芯片的平面尺寸。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202021647432.9有效
发明人：李迪 -专利权人：杨蕾
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：多个标准单元，多个标准单元按行列方向排列成阵列；以及至少一个隔离单元，至少一个隔离单元分别设置在多个标准单元中相邻的标准单元之间，其中，半导体器件还包括沿行方向连续延伸贯穿同一行标准单元和隔离单元的第一半导体结构，隔离单元包括多个第一栅叠层，多个第一栅叠层与第一半导体结构相交，分别包括第一栅极导体以及夹在第一栅极导体和第一半导体结构之间的第一栅极电介质，多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至固定电位以阻断第一半导体结构的电流路径该半导体器件采用栅极导体偏置至固定电位的多个MOSFET形成隔离单元阻断半导体结构的电流路径，可以提高半导体器件的集成度和器件性能。
半导体器件

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